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祝賀普京(祝賀添丁之喜)

發(fā)布時(shí)間:2024-10-30 12:43:18 義務(wù)教育 184次 作者:合肥育英學(xué)校

近日,化學(xué)化工學(xué)院壓電催化與新能源電工材料研究中心周文英教授團(tuán)隊(duì)在三大經(jīng)典之一的《IndustrialEngineeringChemistryResearch》上發(fā)表了題為“InsightsintosynchronouslyEnhancedInterfacePropertiesandThermalConductivity”的論文國(guó)際化學(xué)工業(yè)認(rèn)可的出版物?!耙許iO2殼為中間層構(gòu)建-SiCw/PVDF納米復(fù)合材料”的最新研究成果標(biāo)志著我校化工學(xué)科在基礎(chǔ)化工材料領(lǐng)域的研究達(dá)到了新的水平,有力地促進(jìn)了化工學(xué)科的發(fā)展。工程技術(shù)領(lǐng)域知名期刊,旨在發(fā)表全球化學(xué)工程應(yīng)用領(lǐng)域最新的高質(zhì)量原創(chuàng)研究。

西安科技大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院為該論文的第一作者。2020級(jí)碩士生曹丹為該論文的第一作者。通訊作者為化工學(xué)院周文英教授。該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金()和陜西省自然科學(xué)基金的資助。由科學(xué)基金會(huì)(2022JM-186)支持。

祝賀普京(祝賀添丁之喜)

綠色能源的獲取和儲(chǔ)存是應(yīng)對(duì)當(dāng)前國(guó)家提出的“碳達(dá)峰”和“碳中和”戰(zhàn)略的有效技術(shù)策略。柔性聚合物納米電介質(zhì)具有高介電常數(shù)、低損耗和高擊穿強(qiáng)度,是基于電極化原理實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能的薄膜電容器的關(guān)鍵電介質(zhì)材料;此外,這種材料在微電子封裝、電氣絕緣、航空航天、軍事武器等領(lǐng)域也有重要用途。壓電催化與新能源材料團(tuán)隊(duì)致力于綠色新技術(shù)研究。能源材料的研究由來已久。此前,人們?cè)诶眉{米SiC晶須提高聚合物介電常數(shù)、降低損耗和漏電流方面進(jìn)行了大量研究。分別通過高溫氧化和溶膠-凝膠方法在半導(dǎo)體納米SiC晶須表面涂覆高絕緣氧化物。制備了不同結(jié)構(gòu)和厚度的硅殼層、核殼納米晶須顆粒。通過納米級(jí)氧化硅殼層對(duì)漏電流的有效抑制,大大降低了介電損耗和電導(dǎo),實(shí)現(xiàn)了高介電低損耗。柔性納米聚合物電介質(zhì)。然而,這種材料的導(dǎo)熱率較低。這是由于先前構(gòu)建的非晶氧化硅納米殼的導(dǎo)熱率較低,限制了納米晶須的高導(dǎo)熱率,影響了柔性電介質(zhì)在高場(chǎng)下的快速散熱效果。

針對(duì)這一問題,考慮到高介電、低損耗、高導(dǎo)熱率和高擊穿性能的同時(shí)協(xié)調(diào)和平衡,基于晶體氧化硅界面層的構(gòu)建,達(dá)到平衡且良好的綜合性能的目的建議的。通過在1200~1300高溫下在碳化硅晶須表面生長(zhǎng)晶體氧化硅的策略,構(gòu)建了-SiCw@SiO2核殼晶須的新結(jié)構(gòu)。通過改變溫度和時(shí)間,可以輕松控制氧化硅的晶態(tài)和厚度。這樣就可以控制核殼顆粒的結(jié)構(gòu)和性能,最終得到結(jié)構(gòu)和性能可控的功能聚合物電介質(zhì)。研究結(jié)果表明,晶體氧化硅比非晶結(jié)構(gòu)顯著降低了-SiCw/PVDF(聚偏氟乙烯)的介電損耗和漏電流,保留了較高的介電常數(shù)。此外,納米級(jí)晶體氧化硅界面層在碳化硅晶須與PVDF基體之間構(gòu)建了梯度導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)區(qū)域,有效緩解了高導(dǎo)熱晶須與極低導(dǎo)熱聚合物之間的相界面聲子阻抗失配。并借助晶態(tài)的高熱導(dǎo)率(比非晶態(tài)大10倍),極大地抑制界面聲子散射,降低界面熱阻,有效促進(jìn)界面聲子傳遞,顯著提高了界面聲子的導(dǎo)熱系數(shù)。復(fù)合電介質(zhì)。

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